各地级以上市工业和信息化主管部门：
根据《广东省省级财政资金项目库管理办法(试行)》(粤财预〔2018〕263号)、《关于印发省工业和信息化厅经管专项资金管理办法的通知》(粤财工〔2019〕115号)、《广东省工业和信息化厅办公室关于印发省级财政资金项目库管理办法的通知》(粤工信办函〔2020〕25号)、《广东省财政厅关于做好2022年省级财政资金项目入库储备工作的函》(粤财预〔2021〕30号)等要求，现组织2022年省级促进经济高质量发展专项资金(新一代信息技术和产业发展)支持电子信息产业方向项目入库，有关事项通知如下：
一、组织原则
各地市工业和信息化主管部门要树立“先谋事、后排钱”的理念，按照“谁审批谁负责”“谁使用谁负责”“集中力量办大事”和权责对等的原则，严格按照时间节点组织具体项目申报、评审论证、入库储备和排序优选等工作。
二、支持范围和方向
支持范围：围绕落实省委、省政府关于十大战略性支柱产业集群和十大战略性新兴产业集群建设战略部署，聚焦重点领域，支持半导体和集成电路产业发展。
方向1：高端电子元器件产业化项目。支持范围包括高端片式电容器、高端片式电阻器、高端片式电感器和其他高端电子元器件及相关材料。
方向2：芯片产品量产前首轮流片项目。支持范围包括采用先进特色工艺制程流片的芯片、《广东省人民政府办公厅关于印发广东省加快半导体及集成电路产业发展若干意见的通知》(粤府办〔2020〕2号)明确重点发展方向的芯片、重点应用领域具备较大竞争优势的芯片。
三、申报总体要求
(一)申报主体是在广东省行政区域内注册、具有独立法人资格的企(事)业法人单位。申报单位不得为失信被执行人(以“信用中国”网站查询结果为准)，近5年以来未发生重大安全、环保、质量事故。近5年以来申报主体在专项资金管理、专项审计、绩效评价、监督检查等方面未出现过较为严重的违法违规情况，且不存在未按期完成财政专项资金扶持项目验收的情况。
(二)项目实施必须在广东省境内，应用基础较好，具有行业发展需求和一定规模的客户群体。
(三)项目已经完工，且有明确、量化的经济效益、社会效益，绩效目标应可考核、可量化，且符合省财政专项资金和地市的绩效目标要求。
(四)项目原则上未获得过省财政资金专项支持，未申请省级财政资金其它项目入库。
(五)项目只有一个申报主体，不允许联合申报。
申报的其它条件详见对应的申报指南。
四、具体内容
【高端电子元器件产业化项目】
支持范围：
申报支持的工程产品包括高端片式电容器、高端片式电阻器、高端片式电感器以及重点应用领域具备较大竞争优势的其他高端电子元器件及相关材料，申请时须满足下列条件之一：
(一)高端片式电容器
1.超微型片式多层陶瓷电容器(产品尺寸不大于01005)
2.高容量片式多层陶瓷电容器(产品尺寸不大于0805且容量不小于22uF或产品尺寸不大于0201且容量不小于1uF)
3.超高压片式多层陶瓷电容器(产品尺寸不大于3535且容量不小于100pF且额定电压不小于6000V)
4.高频低损耗多层片式电容器(产品尺寸不大于0603且容量不小于10nF或产品尺寸不大于1206且容量不小于100nF)
5.耐高温片式多层陶瓷电容器(X8R、X8L、X8G)
6.微波陶瓷电容器(自谐振频率不小于28GHz)
7.微波芯片电容器(自谐振频率不小于28GHz)
8.车规级片式多层陶瓷电容器
(二)高端片式电阻器
9.超微型片式电阻器(产品尺寸不大于01005)
10.薄膜片式电阻器(阻值范围50Ω~5kΩ且温度系数不大于10ppm/℃)
11.高可靠性抗硫化片式电阻器(油浴恒温105℃±3℃下抗硫化能力大于1000小时)
12.高压片式多层压敏电阻器(静电容量不大于0.5pF且产品尺寸不大于0201且工作电压不小于220VAC)
13.高精度片式NTC热敏电阻器(B值不小于3000且阻值精度不大于1%)
14.车规级片式电阻器
(三)高端片式电感器
15.超微型片式电感器(产品尺寸不大于01005)
16.超大电流片式电感器(产品尺寸不大于0805且感量不小于4.7uH时工作电流不小于0.5A)
17.超高Q值绕线陶瓷电感器(产品尺寸不大于0201且测试频率500MHz时Q值大于30)
18.微型片式共模电感器(产品尺寸不大于0605且共模阻抗370Ω且测试频率2GHz时插损不大于1.5dB)
19.微波芯片电感器(测试频率2GHz时Q值不小于36)
20.车规级片式电感器
(四)其他高端电子元器件
21.射频滤波器(SAW、BAW)
22.高端光掩模(28nm及以下工艺制程)
23.光通信器件(200GHz电信级铌酸锂光调制器)
24.4K/8K广播级视频编解码模组(图像分辨率不小于3840X2160且帧率不少于50fps且色域支持BT.2020且高动态范围支持HLG且具备HDMI2.1或SDI接口)
25.高端高密度封装基板(FCCSP、FCBGA、Embedded SIP、FOSIP)
26.电子电路铜箔(4OZ及以上超厚铜箔且抗拉强度≥18kg/mm2@180℃且抗剥离强度≥2.5kg/cm、RTF铜箔抗拉强度≥20kg/mm2@180℃且抗剥离强度1.4kg/cm)
27.高频高速覆铜板(刚性板Dk≤3.5@5GHz且Df≤0.004@5GHz、柔性板Dk≤2.8@28GHz且Df≤0.0015@28GHz)
专题申报条件：
申报单位和项目除应符合入库通知正文的总体要求外，还应符合以下专题申报要求：
(一)至2021年5月31日，申报主体注册成立已满至少一个完整会计年度(以营业执照为准)。
(二)申报主体要求以电子元器件及相关材料制造为主营业务，且制造销售(营业)收入占企业收入总额的比例不低于60%(以有资质的会计师事务所提供的最近一个完整年度审计报告为准)。
(三)项目启动时间不早于2019年8月1日，完工时间不迟于2021年5月31日(以发票和支付凭证时间为准，申报单位提供完工情况说明，地市工业和信息化局出具项目完工证明)。
(四)申报项目必须符合本指南支持范围所列条件之一(以具备CNAS认可资质且具备CMA认资资质的第三方机构提供的检测报告为准)。
(五)项目在上述时间内投入的产业化费用(仅限于设备购置费、配套软件购置费、设备软件安装调试费、研发材料购置费、自研设备外协加工费、工程样品测试费，不含税，且必须是用于本项目的合理费用，以有资质的会计师事务所提供的项目开支专项审计报告为准，相关发票、支出凭证和银行对账单的时间要对应)不低于500万元。
(六)项目产品已经实现商业化(以产品销售合同、发票和支付凭证为准)。
(七)项目具有核心关键技术和自主知识产权，需新增发明专利或技术标准等(以专利证书或国标、行标、团标发布稿为准)。
支持方式：
本方向项目财政扶持资金采用事后奖励方式，对符合条件的项目，择优分别按照在2019年8月1日至2021年5月31日期间内(以发票和支付凭证时间为准)，不超过已投入产业化费用(按本指南第三点第5条说明)30%的标准予以补助, 此专题同一主体每年只能申报一个项目，奖补资金不超过1000万元，具体补助额度根据年度资金预算控制指标和入库项目申请情况等因素确定。
【芯片产品量产前首轮流片项目】
支持范围：
申报芯片产品量产前首轮流片包括采用先进特色工艺制程流片的芯片、《若干意见》明确重点发展方向的芯片、重点应用领域具备较大竞争优势的芯片，申请时须满足下列条件之一：
(一)采用先进特色工艺制程流片的芯片
1.采用28nm及以下制程流片的数字芯片
2.采用110nm及以下制程流片的模拟芯片或数模混合芯片
3.采用GaAs、GaN、SiC化合物半导体工艺流片的功率或射频芯片
4.采用SOI制造工艺流片的芯片
5.采用BCD制造工艺流片的芯片
(二)《若干意见》明确重点发展方向芯片
6.高端通用芯片【存储芯片、处理器芯片(CPU、GPU、FPGA、DSP)、信号链芯片(ADC、MCU)】
7.射频芯片
8.传感器芯片(采用CMOS、MEMS工艺)
9.基带芯片
10.交换芯片
11.光通信芯片
12.显示驱动芯片
13.RISC-V(基于精简指令集原则的开源指令集架构)芯片
14.车规级AI(人工智能)芯片
15.毫米波芯片、太赫兹芯片
(三)重点应用领域具备较大竞争优势的芯片
16.5G通信芯片
17.超高清视频芯片(编解码芯片、数据传输芯片、高端CMOS图像传感器芯片)
18.物联网智能硬件核心芯片(工业物联网芯片、低功耗广域网芯片、通讯射频芯片、身份识别类芯片、物联网安全芯片和移动支付芯片)
19.生物医疗芯片(表达谱芯片、疾病检测芯片、商检芯片、蛋白芯片、基因芯片、细胞芯片、组织芯片、生物芯片识别仪、微点阵生物芯片、微流路生物芯片)
专题申报条件：
申报单位和项目除应符合入库通知正文的总体要求外，还应符合以下专题申报要求：
(一)至2021年5月31日，申报主体注册成立已满至少一个完整会计年度(以营业执照为准)。
(二)申报主体为高校、科研院所和集成电路设计企业，其中集成电路设计企业是指以集成电路设计为主营业务并同时符合下列条件的企业：一是拥有核心关键技术，并以此为基础开展经营活动;二是集成电路设计销售(营业)收入占企业收入总额的比例不低于60%且自主设计销售(营业)收入占企业收入总额的比例不低于50%(以有资质的会计师事务所提供的最近一个完整年度审计报告为准);三是具有与集成电路设计相适应的生产经营场所、软硬件设施等开发环境(如EDA工具、合法的开发工具等)，以及与所提供服务相关的技术支撑环境。
(三)申报芯片产品量产前首轮流片为首次在集成电路生产线上完成流片，不含正式量产后批量流片，且在2020年8月1日至2021年5月31日期间内完成(以发票和支付凭证时间为准)。
(四)申报项目必须符合本指南支持范围所列条件之一(以具备CNAS认可资质且具备CMA认资资质的第三方机构提供的检测报告为准)。
(五)芯片产品量产前首轮流片费用(仅限于IP授权或购置费、掩模版制作费、流片费，不含税，且必须是用于本项目的合理费用，以有资质的会计师事务所提供的项目开支专项审计报告为准，相关发票、支出凭证和银行对账单的时间要对应)不低于300万元。
(六)项目产品已经实现商业化(以产品销售合同、发票和支付凭证为准)。
(七)项目具有核心关键技术和自主知识产权，申报的芯片产品已获得集成电路布图设计登记证书或已授权的发明专利(以国家、省、市有关部门出具的相关证书等为准)。
支持方式：
本方向项目财政扶持资金采用事后奖励方式，对符合条件的项目，择优分别按照不超过芯片产品量产前首轮流片费用(按本指南第三点第5条的说明)30%的标准予以补助, 同一主体每年奖补的研发资金不超过1000万元，具体补助额度根据年度资金预算控制指标和入库项目申请情况等因素确定。
申报日期：截止6月30日
广东省工业和信息化厅
2021年6月18日
