关于申报2023年度促进集成电路产业高质量发展专项支持计划项目的通知

01政策内容
(一) 高层次专业人才引进支持。

对集成电路设计企业上一年度从市外引进集成电路专业人才,按照签订三年以上(含三年)劳动合同人才的数量及质量,分档次给予资助,每家企业每年最高资助100万元。

(二)创新创业团队项目支持。

引进和培育具有先进理念和管理水平、掌握核心技术的集成电路设计领域创新创业团队。对入选深圳市高层次人才团队的项目,市、区叠加给予最高1.2亿元资助;对入选广东省引进创新创业团队的项目,省、市、区叠加给予最高2.2亿元资助。

(三)核心设备购买支持。

对集成电路设计企业购买核心设备(实际交易价格20万元以上),按照购置额20%给予补贴,每家企业每年最高补贴100万元。

(四)关键技术攻关支持。

支持辖区集成电路设计企业针对重点发展的高端领域和关键环节,开展具有重大创新性和突破性的技术研发活动。对经区科技主管部门备案,且获得市科技行政主管部门技术攻关专项(集成电路产业重点项目)资助的牵头单位,按照不超过获得市级资助金额的60%给予资助,每个项目最高资助600万元。

(五) EDA/IP购买支持。

支持集成电路企业购买IP(来源于IP提供商、EDA供应商或者代工厂IP模块)、EDA工具开展芯片研发,对上一年度购买南山区外企业的IP、EDA设计工具的企业,按照支付费用的30%给予补贴,每家企业每年最高补贴100万元,对上一年度购买南山区内企业的IP、EDA设计工具的企业,按照支付费用的60%给予补贴,每家企业每年最高补贴200万元。

(六) EDA研发支持。

对从事EDA工具软件研发的企业,按照EDA研发费用的20%给予一次性最高1000万元补贴。

(七) 流片服务支持。

对集成电路企业首次工程流片进行支持,按照上一年度首次工程流片费用(含掩模版制作、流片等)的10%给予补贴,大于28nm(含)的工艺节点,每家企业每年最高补贴150万元, 7nm(不含)到28nm(不含)节点,每家企业每年最高补贴300万元,小于7nm(含)节点,每家企业每年最高补贴1000万元;对使用多项目晶圆(MPW)流片进行研发的企业,按照上一年度MPW流片费用的10%给予补贴,大于28nm(含)的工艺节点,每家企业每年最高补贴100万元,7nm(不含)到28nm(不含)节点,每家企业每年最高补贴200万元,小于7nm(含)以下节点,每家企业每年最高补贴500万元。

(八) 公共服务平台建设支持。

对围绕集成电路产业发展领域的技术研发和成果转化共性服务需求,提供设计服务、测试验证等公共服务的创新平台,经区科技主管部门评审通过后,每年最高资助2000万元,连续资助时间不超过3年。

(九)工程样片测试验证支持。

对开展工程样片的功能、性能、可靠性、兼容性、失效分析等方面的测试验证及相关认证的集成电路设计企业,按照实际发生费用的30%给予每年最高100万元资助。

(十) 芯片首购首用支持。

支持本辖区整机和集成电路设计企业联动发展。对南山区整机企业首购首用本辖区集成电路设计企业自主开发的芯片,按照上一年度采购金额20%给予奖励,每家企业每年最高奖励50万元。

(十一)贷款贴息支持。

对在南山科技金融在线平台完成评级及备案,并获得流动资金贷款且按时还款的辖区内集成电路企业,在平台贷款贴息额度内,按照企业实际支付利息的70%给予补贴。每家企业每年最高资助100万元。

(十二)创业融资支持。

1.对成立5年以内,获得投资机构投资的辖区内种子期、初创期集成电路设计企业,按照其上年度获得实际投资额最高10%给予资助,每家企业每年最高资助300万元。

2.对成立5年以内,近3年累计获得投资机构1亿元以上投资额的辖区内高成长集成电路企业,给予一次性100万元资助。

获得本条第一项、第二项政策支持的企业当年可在南山科技金融在线平台申请贷款贴息额度20%的提升。

同一家企业同一年度均符合本条第一项、第二项政策,按照从高不重复原则予以支持。

(十三)高端项目并购支持。

鼓励辖区企业并购国内外集成电路领域高端项目,对并购规模2亿元以上高端项目的企业,每个项目根据并购金额5‰给予最高1000万元奖励。

(十四)特别重大项目支持。

对符合南山区战略布局,具有科技创新支撑作用的重大集成电路产业创新项目,报区政府采用“一事一议”方式予以审定支持。

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02、政策内容解释说明
      本政策第二、四、八、十一、十二、十四条参照《南山区促进科技创新专项扶持措施》对应的政策操作规程执行。第一、三、五、六、七、九、十条,参照本操作规程执行,第十三条另行规定。

本政策所指MPW流片、工程产品、首次流片的解释如下:

MPW流片:指将多个具有相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆上流片,按面积分担流片费用,以降低开发成本和新产品开发风险。

工程产品:指经过掩膜板流片,达到设计要求后,可以提供给集成电路系统整机厂商进行芯片性能测试及示范应用的芯片产品。

首次流片:指集成电路设计企业对其研发的新型号芯片与芯片制造企业、代流片企业或全资子公司开展产品量产前流片,并就对应型号芯片首次签订流片合同。

三、设定依据

(一)《南山区促进产业高质量发展专项资金管理办法》

(二)《南山区促进集成电路产业高质量发展专项扶持措施》

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03申报条件

基本条件

1.申请单位为注册地在南山区的且具有独立法人资格的企业;

2.申请单位在南山区有20位本科以上或10位硕士研究生以上的团队(在南山区签订劳动合同、连续近一年缴纳社保);

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(二)专项条件
1.高层次专业人才引进支持

(1)申请单位应为集成电路设计企业;

(2)申请单位根据自身发展需求,2021年1月-12月从市外引进的且申报本政策时仍在公司就职的集成电路专业人才:

申请单位每引进1名2022年度个人纳税20万元及以上的市外集成电路专业人才,计5分;每引进1名2022年度个人纳税10万元(含)到20万元之间的市外集成电路专业人才,计3分;每引进1名2022年度个人纳税2.5万元(含)到10万之间的市外集成电路专业人才,计1分。

申请单位累积分数在100分及以上,给予一次性100万元奖励;申报单位累积分数在75分(含)到100分之间,给予一次性50万元奖励;申报单位累积分数在50分(含)到75分之间,给予一次性20万元奖励。

2.核心设备购买支持

(1)申请单位应为集成电路设计企业;

(2)申请单位上一年度购买硬件仿真器、集成电路自动测试机(ATE)、协议分析仪、逻辑分析仪、网络分析仪等核心设备并用于芯片研发。

3.EDA/IP购买支持

(1)申请单位应为集成电路设计企业;

(2)申请单位可以同时申请EDA及IP购买支持;

(3)申请单位应为EDA/IP授权协议中的知识产权最终被授予方,且不再转售予第三方;

(4)采购方与被采购方应为非关联关系,且已签订转

让或授权合同,完成合同付款。

4.EDA研发支持

(1)申请单位应为EDA设计工具研发企业;

(2)研究开发活动应符合研发费用加计扣除政策范畴。

5.流片服务支持

(1)申请单位应为集成电路设计企业;

(2)申请单位上一年度进行首次工程流片或使用多项目晶圆(MPW)流片进行研发;

(3)对首次工程流片,1家企业仅支持1个项目;

(4)申请单位选择首次工程流片和多项目晶圆(MPW)流片其中一项进行申报。

6.工程样片测试验证支持

(1)申请单位应为集成电路设计企业;

(2)申请单位上一年度进行工程样片测试验证开展研发。

7.芯片首购首用支持

(1)申请单位为注册地在南山区的系统集成、终端应用等企业,且上一年度购买本辖区集成电路设计企业自主开发的芯片;

(2)被采购企业为注册地在南山区的集成电路设计企业,且售出的芯片需自主研发设计或生产,拥有自主知识产权,芯片对应的集成电路布图设计创作完成时间在2019年1月1日后;

(3)采购方与被采购方应为非关联关系,且已签订销

售合同,上一年度执行全部或者部分合同款项。

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